Samsung : une mémoire de 2,5 Go pour téléphones 3G

Samsung Electronics Co., Ltd., le premier fabricant mondial de semi-conducteurs, a annoncé avoir développé un boîtier MCP (Multi-Chip Package) à quatre matrices de 2,5 gigabits (Gb) destiné aux téléphones mobiles de la troisième génération.

La Rédac LesMobiles - publié le 23/09/2004 à 00h53
Samsung : une mémoire de 2,5 Go pour téléphones 3G

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Le boîtier MCP renferme deux dispositifs mémoire flash NAND 1 Gbits pour le stockage des données et deux modules DRAM mobile 256 Mbits qui font office de tampon temporaire, pour un total de quatre matrices empilées dans un boîtier monopuce. Le nouveau dispositif est alimenté par une tension de 1,8 volt seulement, mais il est capable d'assurer pleinement la restitution de quatre heures de données vidéo de qualité QVGA (Quarter Video Graphics Array).

Egalement prise en charge par ce boîtier MCP, la diffusion multimédia numérique (DMB, Digital Multimedia Broadcasting) est aussi devenue un service courant sur les téléphones mobiles et elle s'étend rapidement à d'autres dispositifs portables, tels que les assistants personnels (PDA) et les autoradios.

La société d'étude de marché IDC prévoit que les ventes de téléphones mobiles de la 3ème génération connaîtront un taux de croissance annuel cumulé de 67 % entre 2004 et 2008. Samsung est en mesure d'offrir des solutions mémoire mobile globales grâce à son portefeuille de produits concurrentiels, allant des mémoires DRAM, SRAM et UtRAM jusqu'aux mémoires flash.

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