Samsung présente une barrette de stockage de 1 To pour smartphone

Par Samir Azzemou

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Certaines rumeurs affirment qu’une version du Galaxy S10+ de Samsung pourrait embarquer 1 To de stockage. Une rumeur qui se voit aujourd’hui presque confirmer puisque la firme présente le composant qui assurerait cette performance.

L’irrémédiable ascension de Huawei / Honor a déjà fait une première victime : Apple. En début de journée, nous avons relayé dans nos colonnes les chiffres financiers de la firme de Cupertino pour la période d’octobre à décembre 2018. Et, pour la première fois, ils ne sont pas bons. Certes, le marché de la téléphonie a reculé en 2018. Mais le segment premium a progressé, comme nous le rapportions hier. Un segment qui se divise en deux : celui des téléphones vendus de 400 à 799 dollars, lequel est en forte progression, et celui des téléphones vendus au-dessus de 800 dollars, qui recule. Et Apple est évidemment principalement situé sur le second.

Les composants : la force de Samsung

Huawei, avec son catalogue et celui de Honor, est l’un des architectes de cette progression. L’objectif de Richard Yu n’était pas de dépasser Apple, mais de dépasser Samsung. La firme coréenne doit donc montrer les crocs pour prouver qu’elle est en mesure de conserver cette place de leader. D’abord en modernisant son offre entrée de gamme. Ce que nous avons vu avec les Galaxy M20 et M10, officialisés cette semaine. Ensuite en présentant des terminaux haut de gamme innovants. Ce sera le rôle des Galaxy S10 et du Galaxy F.

Samsung memoire flash

Et c’est sur ce point que Samsung peut faire la différence. Car la firme coréenne ne fait pas que créer des smartphones. Elle en développe aussi les composants principaux. Le chipset avec les Exynos. Les capteurs photo avec les ISOCELL. Les écrans Infinity Display (qui se déclinent maintenant en plusieurs modèles). Les batteries. Et bien sûr les barrettes de mémoire flash. Dans ce domaine, Samsung est très largement le leader mondial. Et pour montrer qu’elle maitrise le succès, la société a présenté aujourd’hui son premier composant de stockage doté d’une capacité de 1 téraoctet.

Mémoire à haute vitesse

La puce, qui est d’ores et déjà en phase de production de masse, repose sur le format eUFS 2.1. La vitesse d’écriture atteint 260 Mo/s, tandis que la vitesse de lecture peut atteindre les 1000 Mo/s. Soit presque 1 Go/s. C’est largement plus rapide que les anciens supports de stockage flash créé par Samsung. En outre, ce composant mesure la même taille que le support disposant d’une capacité de 512 Go. Ce qui veut dire que les constructeurs n’auront pas besoin de changer le design de leurs smartphones pour l’intégrer. Une véritable aubaine, notamment pour Samsung qui pourrait intégrer justement de composant dans la version la plus onéreuse du Galaxy S10+.

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